MDM: Manhattan-Distanz-Mapping verbessert Memristor-Crossbar-Leistung
Die neue Methode Manhattan Distance Mapping (MDM) optimiert die Platzierung aktiver Memristoren in bit-sliced Compute‑in‑Memory (CIM) Crossbars. Durch die gezielte Umordnung der Zeilen nach Manhattan‑Entfernung werden aktive Zellen in Bereiche verlagert, die weniger von parasitischer Widerstand (PR) betroffen sind. Das Ergebnis ist ein deutlich reduzierter Nicht‑Idealitätsfaktor (NF) und eine höhere Genauigkeit bei analogen DNN‑Berechnungen.
